Ion plätering

Ion plätering (IP)är en physical förångningsdeposition(PVD) process som iblandkallade ion assisterad nedfall (IAD)eller ion vapor deposition (IVD) och är en version av vakuum nedfall. Ion plätering använder samtidiga eller periodiska beskjutning av substratet, och insättningar film av Atom-storlek energisk partiklar. Beskjutning före nedfall används till sputter rena substrat yta. Under nedfallet används beskjutningen att ändra och kontrollera egenskaperna för deponerar filmen. Det är viktigt att beskjutningen vara kontinuerliga mellan rengöring och nedfall portionr av processen för att upprätthålla en atomically rena gränssnitt.

I Jon plätering energin, är flux och massa av bombarding arter tillsammans med förhållandet av bombardera partiklar deponerar partiklar viktigt bearbetning variabler. Deponerar materialet kan vara förångas genom avdunstning, sputtring (bias sputtering), arc-förångning eller nedbrytning av en kemisk ånga föregångare kemisk förångningsdeposition (CVD). Energisk partiklarna används för beskjutning är vanligtvis joner av ett inert eller reaktiv gas, eller, i vissa fall, joner av den kondenserande filmmaterial (”film joner”). Ion plätering kan göras i en plasma miljö där joner för beskjutning extraheras från plasma eller det kan göras i en vakuum miljö där joner för beskjutning bildas i en separat ion pistol. Den sistnämnda ion plätering konfigurationen kallas ofta Ion Beam Assisted nedfall (IBAD). Genom att använda en reaktiv gas eller ånga i plasma, kan filmar av sammansatta material deponeras.

Ion plätering används för att sätta in hårda beläggningar av sammansatta material på verktyg, vidhäftande metall beläggningar, optiska beläggningar med hög densitet och conformal beläggningar på komplexa ytor.

Jonen plätering processen beskrevs först i facklitteraturen av Donald M. Mattox av Sandia National Laboratories (SNL) 1964. [1]