Strukturera av en Planar Magnetron Sputtering mål för beläggning utrustning

Strukturen för denplanar magnetron Sputtring målav beläggning, som i det faktiska fallet, den ursprungliga hastigheten av elektronen är inte noll, och elektronerna kör inte linjärt längs det elektriska fältet mot anoden, men hellre göra cycloid rörelse under verkställa av ortogonala elektromagnetiska fält. Det är ökade sannolikheten för kollision med gasmolekyler, och förbättrat andelen jonisering av argongas. Ett större antal argon joner produceras för att bombardera mål, öka sputtring. Sputtring är ungefär 10 gånger högre än för de DC två stavar sputtering. För många mål, har andelen sputtring nått avdunstningen av elektronstrålen, vilket är ett stort framsteg i katoden sputtring teknik. Det kan förkorta nedfall och förbättra produktionseffektiviteten.

Komponenten magnetfält av parallella mål ytan är inte enhetlig. På den plats där magnetfältet är den starkaste, parallella mål ytan av magnetfältet är den största, och de elektromagnetiska fält har den största begränsande kraften på elektroner. Därför elektrontätheten i detta intervall är den största, och sannolikheten för kollision jonisering med argon är den största. Intensiteten i glöden är den största, och det finns högsta glöd intensiteten med en mycket stark glöd (rektangulära eller cirkulära) ring på mål ytan. Den största mängden av argon ion produceras i denna region, och ju mer intensiv den katod sputtring är målet. Mål materialet i detta område är etsad snabbt, och förbrukas inte mål materialet jämnt och fördjupningar visas. Den magnetiska fluxen passerar direkt mål ytan och den magnetiska flux genereras på mål ytan avgör graden av ”magnetism”. Efter flera sputtring, mål materialet blir tunnare, magnetiska flux ökar, och den sputtring är lättare.

Positiv feedback processen minskar utnyttjandet av målet. För värdefulla mål är låga utnyttjandegraden för planar magnetron Sputtring mål brist på den plana magnetron sputtering mål.