Beräkna skillnaden mellan vakuumplätering och vattenplätering
Nov 14, 2018| Beräkna skillnaden mellan vakuumplätering och vattenplätering
Om någon frågar dig, vad är elektroplätering? Vad skulle du säga? Vissa säger vattenplätering, vissa säger vakuumplätering. Vilket är rätt? I själva verket betyder "elektroplätering" olika saker i olika branscher. Till exempel, i den nuvarande mobiltelefonindustrin finns det få tillämpningar av vattenbeläggning. I många människors sinnen avser elektroplätering i allmänhet vakuumplätering, medan det inom sanitetsvaruindustrin används vattenelektroplering i stor utsträckning, vanligtvis elektroplätering hänför sig till vattenbeläggning. Både vattenbeläggning och vakuumplätering hör till elektropläteringsfilm. Låt oss börja från klassificeringen av beläggningsfilm och se skillnaden mellan olika typer av beläggning.
Elektropläterande produkter klassificeras enligt följande enligt formningsmetoden:
1. Fast fasmetod: ---> kemisk förändring;
2. Vätskefasmetod: ---> kemisk förändring
3. Meteorologisk metod: -> kemiska och fysiska förändringar
Klassificeras enligt följande:
De gemensamma beläggningsmetoderna innefattar: vattenbeläggning, anodisering, vakuumindunstning, vakuumspatter och jonplätering.
Vattenplätering:
Nyckelord: anodisk upplösning, katodfästning, elektrokemisk reaktion
Vattenelektropleringsmetoden används huvudsakligen för att skapa högreflektor effekt och öka vidhäftningsskiktet etc. Dess fördelar är stora ytbeläggningar, låg kostnad, hög toxicitet hos elektrolyt och stor industriförorening.
Vattenpläteringslinje
Anodisk oxidationsprocess :
Nyckelord: metalloxidfilm, elektrokemisk reaktion
Anodoxidation kan också tillverkas i Ta2O2, TiO2, ZrO2, Nb2O5, HfO2, WO3, etc., huvudsakligen använd som skyddande film eller färgande dekorativ film.
Anodiserad produkt
Vakuumindunstning kallas också termisk evaporation
Process nyckelord: hög temperatur upplöst förångning, avsättning efter täckande film
Enligt de olika uppvärmningsmetoderna för filmmaterial kan vakuumförångning uppdelas i indirekt uppvärmningstyp och direkt uppvärmningstyp.
1. Indirekt uppvärmningstyp: Endast för förångningskällan, vilket indirekt medför att filmmaterialet på den förångas på grund av värme;
2. Direkt uppvärmningstyp: använd partiklar med hög energi (elektronstråle, plasma eller laser) eller högfrekvens för direkt uppvärmning av filmmaterialet på förångningskällan och förångning; *
För att undvika förångning av källan (behållaren) tillsammans med filmmaterialet måste smältpunkten för källmaterialet vara högre än filmmaterialets kokpunkt.
Förångningsprincip
Motståndsuppvärmning och avdunstning
Filmmaterialet värms indirekt av den värmeenergi som alstras av den elektriska strömmen som passerar genom resistansen. Enheten är som följer:
Motståndsuppvärmning och avdunstning
Nackdelar med motståndsuppvärmning:
1. Det är nödvändigt att värma förångningskällan före överföring av värme till filmmaterialet. Förångningskällan är lätt att reagera på materialet eller blyföroreningarna.
2. Förångningskällans uppvärmningstemperatur är begränsad, och det mesta av oxiden vid hög smältpunkt kan inte smälta och indunstas;
3. Begränsad avdunstningshastighet;
4. Om beläggningsmaterialet är en förening kan det brytas ner;
5. Filmen är inte svår, med låg densitet och dålig vidhäftning.
Sputtering beläggning
Nyckelord: joniserad inert gas, målbombardemang, målskalning, avsättning, kylning, filmbildning
Princip för sputtering beläggningsmaskin är hålighet pumpning luft i vakuum tillstånd, direkt av membranmaterialet (mål) som elektroder, med hjälp av elektroder se elektricitet 5 kv ~ 15 kv plasma bombardemang av målmaterial, ventilation med gas samtidigt gasjonering, rörliga partiklar i plasman, jonpåverkande målmaterial och de materialatomer från vilka deponeras på substratytan, kyler den kondenserade till en film.
Magnetron Sputtering Deposition
Elektrodstrukturen förbättras på grundval av DC eller radiofrekvenssprutning, det vill säga en permanentmagnet är anordnad på katodens inre sida och magnetfältet är vinkelrätt mot det elektriska fältets riktning i det mörka området, så att begränsa driften av laddade partiklar med magnetfält. Denna sputtering metod kallas magnetron sputtering .
Magnetisk sputtering schematiskt diagram
Eftersom magnetfältets kraft är vinkelrätt mot elektronernas riktning, kommer den elektroniska cyklogenesens centripetalkraft att bildas. Vid denna tidpunkt ökar sannolikheten för kollision mellan neutrala arter, och tunna filmer kan tillverkas vid lågt tryck.
Förutom lågt tryck är de andra två fördelarna med magnetronförstoftning hög hastighet och låg temperatur.
Men magnetronförstärkning har också några problem, såsom för plan magnetisk styrelektrodmagnetisk kontrollelektrod, är det centrala och perifera målmaterialet inte vinkelrätt mot kraftverkets magnetfältkomponent mer och mindre, dvs parallellt med magnetfältets målyta komponenten är liten, i ett cirkulärt område på målmaterialets yta genom sputtering ovanligt snabbt, medan den centrala och kantsputteringen mindre, så att den blir en w-formad erosionsdalen, minskar utnyttjandegraden för målmaterialet och kan påverka filmens likformighet.
Ion plating princip
Ionplätering
Nyckelord: vakuumgasutsläpp, dissociation mål, bombardemang basmaterial
Huvudprincipen är att dissociera filmmaterialet till ett jonläge genom att använda gasavladningsfenomenet och sedan lägga det på substratet.
Det grundläggande elektropläteringssystemet för jonplätering är PVD-systemet, vilket endast adderar reaktiva gaser för att göra det reagerar med filmmaterialet efter indunstning och sedan sänker på substratet för att bilda föreningar. Kompositionen av filmbeläggningen skiljer sig därför från det ursprungliga filmmaterialet, och det är en förening av basmaterialet.
Ionplätering består i grunden av tre steg:
1. Transformering av fasta atomer till gasatomer: olika indunstningskällor och olika sputtermekanismer kan vara vakuumindunstning för att uppnå detta ändamål;
2. Vrid gasformiga atomer till jonlägen för att öka graden av jonisering av råmaterialet (vanligtvis upp till 1) . Olika jonelement kan användas för att överföra energi till råmaterialatomer för att uppnå graden av jonisering i början;
3. Öka det joniska materialets energi för att förbättra filmens kvalitet: Förmågan att accelerera joner kan uppnås genom att i princip lägga till lämplig negativ förspänning .
Egenskaperna hos jonplätering är följande:
1. Jonplätering kan utföras vid en lägre temperatur på 600 grader;
2. Bra vidhäftning;
3. God diffraktad laddad atomenergi når all grundytan och belägger beläggningen;
4. Avsättningshastigheten är snabb och når 1 ~ 5um, medan sekundärplattans förstoftningshastighet är endast 0,01 ~ 1,0 tum / min;
5. Bearbetningsegenskapen och selektiviteten hos tunna filmmaterial är breda. Förutom metaller, keramik, glas och plast kan man bearbeta.
PVD tre kategorier av tekniska egenskaper jämförelse
Ovan är den enkla kammaren av vanlig beläggningsprocess. Om du vill dela mer intressant innehåll kan du lämna ett meddelande i slutet av artikeln.
IKS PVD anpassade den lämpliga pvd-vakuumbeläggningsmaskinen till dig, kontakta oss nu.
iks.pvd@foxmail.com